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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GM72V66841ET-7 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 44/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ET-7 |
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LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
43
Relationship Between Frequency and Minimum Latency
Symbol
Notes
- 8
- 10K
l
BSR
l
BSR
l
BSH
l
BSH
l
BSW
Burst stop to
output valid
data hold
Burst stop to
output high
impedance
Burst stop to write data ignore
(CL=2)
(CL=3)
(CL=2)
(CL=3)
Notes :1.
l
RCD
to
l
RRD
are recommended value.
125
8
83
12
-
1
2
2
-
2
100
10
66
15
-
1
2
2
-
2
3
3
0
0
3
3
0
0
Parameter
t
CK
(ns)
frequency(MHz)
100
10
1
2
2
3
0
- 7K
- 7J
100
10
66
15
-
1
2
2
-
2
3
3
0
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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| GM7630SIP10T | FIXED MULTI - OUTPUT REGULATOR |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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