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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W25P80-VSFI-G |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO16 |
| 封裝： | 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-16 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/43頁(yè) |
| 文件大小： | 918K |
| 代理商： | W25P80-VSFI-G |
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W25P80 / W25P16 / W25P32
Publication Release Date: December 11, 2005
- 31 -
Revision J
9.2.18 Erase Parameter Page (D5h)
The Erase Parameter Page instruction sets all 256 bytes of memory in the Parameter Page to the
erased state of all 1s (FFh). A Write Enable instruction must be executed before the device will accept
the Erase Parameter Page instruction (Status Register bit WEL must equal 1). The instruction is
initiated by driving the /CS pin low and shifting the instruction code “D5h”. The Erase Parameter Page
instruction sequence is shown in figure 21.
The /CS pin must be driven high after the eighth bit has been latched. If this is not done the Erase
Parameter Page instruction will not be executed. After /CS is driven high, the self-timed Erase
Parameter Page instruction will commence for a time duration of tPE (See AC Characteristics). While
the Erase Parameter Page cycle is in progress, the Read Status Register instruction may still be
accessed to check the status of the BUSY bit. The BUSY bit is a 1 during the Erase Parameter Page
cycle and becomes a 0 when finished and the device is ready to accept other instructions again. After
the Erase Parameter Page cycle has finished the Write Enable Latch (WEL) bit in the Status Register
is cleared to 0. The Erase Parameter Page instruction will not be executed if any page is protected by
the Block Protect (BP2, BP1, BP0) bits (see Status Register Memory Protection table).
Figure 21. Parameter Page Erase Instruction Sequence Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25Q16VSFIG | 2M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 |
| W25Q32DWZPIP | 256K X 16 SPI BUS SERIAL EEPROM, 7.5 ns, PDSO8 |
| W25Q80VZPIG | 1M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, DSO8 |
| W25X16AVDAIZ | 2M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
| W25X40AVSSIG | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25P80VSI | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT AND 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY |
| W25P80VSIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT AND 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY |
| W25P80VSSI | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT AND 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY |
| W25P80VSSIG | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 50MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| W25P80VSSIG T&R | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 50MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
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