參數(shù)資料
型號(hào)： NT5DS64M8BF-6KI
廠商： NANYA TECHNOLOGY CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： DDR DRAM, PBGA60
封裝： 1 MM PITCH, WBGA-60
文件頁(yè)數(shù)： 71/79頁(yè)
文件大?。?/td> 6238K
代理商： NT5DS64M8BF-6KI
NT5DS128M4BF
NT5DS128M4BT
NT5DS128M4BG
NT5DS128M4BS
NT5DS64M8BF
NT5DS64M8BT
NT5DS64M8BG
NT5DS64M8BS
NT5DS32M16BF
NT5DS32M16BT
NT5DS32M16BG
NT5DS32M16BS
512Mb DDR SDRAM
REV 1.3
11/2007
73
NANYA TECHNOLOGY CORP. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Write with Auto Precharge (Burst Length = 4)
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
NT5SE8M16DS-6K 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54
NT5SV8M8DT-7 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
NTC1111-20MHZ Analog IC
NTC1111-SERIES Analog IC
NTC1120-12.8MHZ Analog IC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NT5S10001BA20 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 NT5 S 10K 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類(lèi)型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
NT5S10001FA20 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 NT5 S 10K 1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類(lèi)型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
NT5S10002BA20 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 NT5 S 100K 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類(lèi)型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
NT5S131R6BA20 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 NT5 S 131U6 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類(lèi)型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
NT5S15000FA20 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 NT5 S 1K5 1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類(lèi)型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk
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