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參數(shù)資料
| 型號： | NT5DS64M8BF-6KI |
| 廠商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA60 |
| 封裝： | 1 MM PITCH, WBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 39/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 6238K |
| 代理商： | NT5DS64M8BF-6KI |
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NT5DS128M4BF
NT5DS128M4BT
NT5DS128M4BG
NT5DS128M4BS
NT5DS64M8BF
NT5DS64M8BT
NT5DS64M8BG
NT5DS64M8BS
NT5DS32M16BF
NT5DS32M16BT
NT5DS32M16BG
NT5DS32M16BS
512Mb DDR SDRAM
REV 1.3
11/2007
44
NANYA TECHNOLOGY CORP. All rights reserved.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.
Write to Precharge: Minimum DQSS, Odd Number of Data (1 bit Write), Interrupting
(Burst Length = 4 or 8)
DI a-b = data in for bank a, column b.
An interrupted burst is shown, 1 data element is written.
tWR is referenced from the first positive CK edge after the last desired data in pair.
The Precharge command masks the last 2 data elements in the burst.
A10 is Low with the Write command (Auto Precharge is disabled).
1 = Can be don't care for programmed burst length of 4.
2 = For programmed burst length of 4, DQS becomes don't care at this point.
Don’t Care
T1
T2
T3
T4
T5
T6
NOP
PRE
Write
NOP
CK
Command
Address
BA a, COL b
BA (a or all)
tWR
tRP
DI a-b
DQS
DQ
tDQSS (min)
2
1
DM
3
4
3 = This bit is correctly written into the memory array if DM is low.
4 = These bits are incorrectly written into the memory array if DM is low.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NT5SE8M16DS-6K | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| NT5SV8M8DT-7 | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| NTC1111-20MHZ | Analog IC |
| NTC1111-SERIES | Analog IC |
| NTC1120-12.8MHZ | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NT5S10001BA20 | 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 NT5 S 10K 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk |
| NT5S10001FA20 | 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 NT5 S 10K 1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk |
| NT5S10002BA20 | 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 NT5 S 100K 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk |
| NT5S131R6BA20 | 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 NT5 S 131U6 0,1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk |
| NT5S15000FA20 | 功能描述:金屬膜電阻器 - 透孔 NT5 S 1K5 1% AM500 e3 RoHS:否 制造商:IRC 電阻:63.4 kOhms 容差:1 % 功率額定值:100 mW 電壓額定值:200 V 溫度系數(shù):100 PPM / C 端接類型:Axial 工作溫度范圍: 尺寸:2.3 mm Dia. x 6.4 mm L 封裝:Bulk |
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