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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KAB02D100M-TLGP |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | Tantalum Conformal-Coated Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 10V; Packaging: Tape & Reel |
| 中文描述： | 多芯片封裝存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 62/72頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1378K |
| 代理商： | KAB02D100M-TLGP |
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KAB0xD100M - TxGP
Revision 1.11
August 2003
- 62 -
MCP MEMORY
SEC Only
NAND Flash Status Read Cycle
CE
F
WE
CLE
RE
DQ
x
70h
Status Output
t
CLS
t
CLH
t
CS
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
REA
t
IR
t
RHZ*
t
OH
t
CHZ*
t
OH
t
WHR
t
CEA
t
CLS
NAND FLASH READ1 OPERATION
(READ ONE PAGE)
CE
F
CLE
R/B
F
DQ
x
WE
ALE
RE
Busy
00h
A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
23
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Dout N+3
Column
Address
Page(Row)
Address
t
WB
t
AR
t
R
t
RC
t
RHZ
t
OH
t
CHZ
Dout 264
t
WC
t
RR
≈
≈
≈
t
OH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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