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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB18T512160AF-3.7 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 75/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF-3.7 |
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Data Sheet
75
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Truth tables
H
4
Truth tables
Table 20
Function
Command Truth Table
CKE
Previous
Cycle
H
CS RAS CAS WE BA0
BA1
A[12:11] A10 A[9:0]
Note
1)2)3)
1) The state of ODT does not affect the states described in this table. The ODT function is not available during Self Refresh.
2) “X” means “H or L (but a defined logic level)”.
3) Operation that is not specified is illegal and after such an event, in order to guarantee proper operation, the DRAM must
be powered down and then restarted through the specified initialization sequence before normal operation can continue.
4) All DDR2 SDRAM commands are defined by states of CS, WE, RAS, CAS, and CKE at the rising edge of the clock.
5) Bank addresses (BAx) determine which bank is to be operated upon. For (E)MRS BA[1:0] selects an (Extended) Mode
Register.
6) V
REF
must be maintained during Self Refresh operation.
7) Self Refresh Exit is asynchronous.
8) Burst reads or writes at BL = 4 cannot be terminated. See
Chapter 3.21
for details.
9) The Power Down Mode does not perform any refresh operations. The duration of Power Down is therefore limited by the
refresh requirements outlined in
Chapter 3.24
Current
Cycle
H
(Extended) Mode
Register Set
Auto-Refresh
Self-Refresh Entry
Self-Refresh Exit
L
L
L
L
BA
OP Code
4)5)
H
H
L
H
L
H
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
H
L
L
L
H
H
L
L
X
H
H
H
H
L
L
H
H
X
H
L
L
H
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
4)
4)6)
4)6)7)
Single Bank Precharge
Precharge all Banks
Bank Activate
Write
Write with Auto-
Precharge
Read
Read with Auto-
Precharge
No Operation
Device Deselect
Power Down Entry
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
BA
X
BA
BA
BA
X
X
Row Address
Column
Column
L
H
X
X
4)5)
4)
4)5)
L
H
Column
Column
4)5)8)
4)5)8)
H
H
H
H
L
L
H
L
L
H
H
BA
BA
Column
Column
L
H
Column
Column
4)5)8)
4)5)8)
H
H
H
X
X
L
L
H
H
L
H
L
H
X
X
H
X
H
H
X
X
H
X
H
H
X
X
H
X
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
4)
4)
4)9)
Power Down Exit
L
H
X
X
X
X
4)9)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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