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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T512160AF-3.7 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 512兆位DDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 38/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2102K |
| 代理商： | HYB18T512160AF-3.7 |
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HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
Functional Description
Data Sheet
38
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
For proper operation of adjust mode, WL = RL - 1 =
AL + CL - 1 clocks and
t
DS
/
t
DH
should be met as shown
in
Figure 10
. Input data pattern for adjustment, DT[0:3]
is fixed and not affected by MRS addressing mode (i.e.
sequential or interleave). Burst length of 4 have to be
programmed in the MRS for OCD impedance
adjustment.
Figure 10
Timing Diagram Adjust Mode
Drive Mode
Both Drive(1) and Drive(0) are used for controllers to
measure DDR2 SDRAM Driver impedance before OCD
impedance adjustment. In this mode, all outputs are
driven out
t
OIT
after “enter drive mode” command and all
output drivers are turned-off
t
OIT
after “OCD calibration
mode exit” command. See
Figure 11
.
Figure 11
Timing Diagram Drive Mode
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
EMRS(1)
CMD
DQ_in
NOP
tWR
DQS_in
CK, CK
WL
EMRS(1)
NOP
DM
DQS
OCD adjust mode
OCD calibration
mode exit
tDS
tDH
DT0
DT1
DT2
DT3
OCD1
NOP
NOP
NOP
NOP
EMRS(1)
CMD
DQ_in
NOP
DQS_in
CK, CK
EMRS(1)
NOP
Enter Drive Mode
OCD calibration
mode exit
NOP
DQS high & DQS low for Drive(1), DQS low & DQS high for Drive 0
DQS high for Drive(0)
DQS high for Drive(1)
tOIT
tOIT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB18T512160AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512400AF-3S | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
| HYB18T512800AF-3.7 | 512-Mbit DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400BF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: |
| HYB18T512800AF-3S | 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| HYB18T512800BF-2.5 | 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF) |
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