參數(shù)資料
型號(hào): HYB18T512160AF-3.7
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: 512-Mbit DDR2 SDRAM
中文描述: 512兆位DDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù): 113/117頁(yè)
文件大?。?/td> 2102K
代理商: HYB18T512160AF-3.7
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Data Sheet
113
Rev. 1.3, 2005-01
09112003-SDM9-IQ3P
HYB18T512[40/80/16]0AF–[3/3S/3.7/5]
512-Mbit DDR2 SDRAM
AC Timing Measurement Conditions
Table 61
Derating Values for Data Setup and Hold Time of Single-ended DQS (DDR2-400 & -533)
DQS, DQS Single-ended Slew Rate
1)2)
2.0 V/ns
1.5 V/ns
1.0 V/ns
0.9 V/ns
0.8 V/ns
t
DS1
t
DH1
t
DS1
t
DH1
t
DS1
t
DH1
t
DS1
t
DH1
t
DS1
D
2.0 +188 +188 +167 +146 +125 +63 —
1.5 +146 +167 +125 +125 +83
1.0 +63
+125 +42
0.9 —
+31
0.8 —
0.7 —
0.6 —
0.5 —
0.4 —
1) All units in ps.
2) For all input signals
t
DS1
(total) =
t
DS1
(base) +
t
DS1
and
t
DH1
(total) =
t
DH1
(base) +
t
DH1
0.7 V/ns
t
DS1
0.6 V/ns
t
DS1
0.5 V/ns
t
DS1
0.4 V/ns
t
DS1
t
DH1
t
DH1
t
DH1
t
DH1
t
DH1
-13
-27
-44
-67
-96
-29
-43
-61
-85
-128 -156 -145 -180 -175 -223 -226 -288
-210 -243 -240 -286 -291 -351
-45
-62
-85
-114 -102 -138 -132 -181 -183 -246
-60
-78
–86
-109 -108 -152 —
+42 +81 +43 —
0
-2
-14
-13
-31
-27
-45
+83
+69
0
-11
-25
+1
-13
-30
-53
-7
-18
-32
-50
-74
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PDF描述
HYB18T512160AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512400AF-3S 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3 512-Mbit DDR2 SDRAM
HYB18T512800AF-3.7 512-Mbit DDR2 SDRAM
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參數(shù)描述
HYB18T512161BF-25 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400AF-5 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA
HYB18T512400BF-3S 制造商:Qimonda 功能描述:
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1449 (CN2011-ZH PDF)