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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52F89EM |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無(wú)緩沖SDRAM的內(nèi)存（64 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 65/71頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 906K |
| 代理商： | HB52F89EM |
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HB52F88EM-75F, HB52F89EM-75F, HB52F168EN-75F, HB52F169EN-
65
Full Page Read/Write Cycle
Z
R:a
C:a
R:b
E
O
Y
D
E
N
D
E
N
O
Y
E
N
R:a
C:a
R:b
High-Z
\
[
\
Q
Z
[
[
\
Q
[
\
\
]
H
R
\
H
Q
R
R
\
H
Q
R
\
2
<
F
O
;
D
E
O
1
;
D
E2
<
O2
;<
E
O2
3
<
(
12
;(
2
3
<
2
<
2
a
$
$
.
$
%
.
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 3
Active
Burst stop
Bank 3
Precharge
Bank 0
Active
Bank 0
Write
Bank 3
Active
Burst stop
Bank 3
Precharge
@
I
J
S
]
@
I
J
R
S
@
H
I
R
S
5
@
H
I
R
5
>
H
I
R
,
-
5
6
@
-
6
7
@
A
J
-
6
7
@
J
,
-
6
7
@
$
-
.
$
-
.
$
-
S
T
]
^
T
]
^
T
^
^
]
"
,
5
6
*
)
*
2
3
(
)
2
3
(
)
2
(
)
2
(
2
S
T
\
]
CKE
RE
S
CE
W
Address
DQMB
Dout
Din
CK
BA
CKE
RE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
D
E
N
O
X
>
H
Q
R
V
IH
V
IH
a+1
a+2
a+3
Read cycle
RE
,
CE
delay = 3
CE
latency = 3
Burst length = full page
= V or V
IL
Write cycle
RE
,
CE
delay = 3
CE
latency = 3
Burst length = full page
= V or V
IL
a+1
a+2
a+3
a+6
a+5
a+4
Din
Dout
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