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參數(shù)資料
| 型號： | HB52F89EM |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（64 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 57/71頁 |
| 文件大?。?/td> | 906K |
| 代理商： | HB52F89EM |
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HB52F88EM-75F, HB52F89EM-75F, HB52F168EN-75F, HB52F169EN-
57
DQMB Control
The DQMB mask the DQ data. The timing of DQMB is different during reading and writing.
Reading:
When data is read, the output buffer can be controlled by DQMB. By setting DQMB to Low, the
output buffer becomes Low-Z, enabling data output. By setting DQMB to High, the output buffer becomes
High-Z, and the corresponding data is not output. However, internal reading operations continue. The laten-
cy of DQMB during reading is 2 clocks.
Writing:
Input data can be masked by DQMB. By setting DQMB to Low, data can be written. In addition,
when DQMB is set to High, the corresponding data is not written, and the previous data is held. The latency
of DQMB during writing is 0 clock.
Reading
CK
Command
Address
Mode
Register Set
Bank
Active
MRS
ACTV
I
RSA
BS & ROW
CODE
CK
Dout
out 0
out 1
l = 2 Latency
out 3
DQMB
High-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52R1289E22 | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22-A6B | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22-B6B | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HB52R1289E22 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
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