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參數資料
| 型號： | HB52F89EM |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無緩沖SDRAM的內存（64 MB的未緩沖同步的DRAM內存） |
| 文件頁數： | 26/71頁 |
| 文件大?。?/td> | 906K |
| 代理商： | HB52F89EM |
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HB52F88EM-75F, HB52F89EM-75F, HB52F168EN-75F, HB52F169EN-
26
DC Characteristics (Ta = 0 to 65
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
(HB52F169EN)
Notes:
1.I
CC
depends on output load condition when the device is selected. I
CC
(max) is specified at the
output open condition.
2.One bank operation.
3.Input signals are changed once per one clock.
4.Input signals are changed once per two clocks.
5.Input signals are changed once per four clocks.
6.After power down mode, CK operating current.
7.After power down mode, no CK operating current.
8.After self refresh mode set, self refresh current.
HB52F169EN-75F
PC133
CE latency = 3
PC100
CE latency = 2
Parameter
Operating current
Sym-
bol
I
CC1
Min
—
Max
900
Min
—
Max
900
Unit Test conditions
mA
Burst length = 1
t
RC
= min
mA
CKE = V
IL
, t
CK
= 12
ns
mA
CKE = V
IL
, t
CK
=
∞
Note
s
1, 2, 3
Standby current in power
down
Standby current in power
down
(input signal stable)
Standby current in non
power down
Active standby current in
power down
Active standby current in
non power down
Burst operating current
Refresh current
Self refresh current
I
CC2P
—
54
—
54
6
I
CC2PS
—
36
—
36
7
I
CC2N
—
288
—
288
mA
CKE, S = V
IH
,
t
CK
= 12 ns
CKE = V
IL
, t
CK
= 12
ns
CKE, S = V
IH
,
t
CK
= 12 ns
t
CK
= min, BL = 4
t
RC
= min
V
IH
≥
V
CC
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
0
≤
Vin
≤
V
CC
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
I
OH
= –4 mA
I
OL
= 4 mA
4
I
CC3P
—
72
—
72
mA
1, 2, 6
I
CC3N
—
360
—
360
mA
1, 2, 4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
—
—
—
1080
1215
18
—
—
—
900
1215
18
mA
mA
mA
1, 2, 5
3
8
Input leakage current
Output leakage current
I
LI
I
LO
–10
–10
10
10
–10
–10
10
10
μ
A
μ
A
Output high voltage
Output low voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
—
0.4
2.4
—
—
0.4
V
V
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