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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52F89EM |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（64 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 29/71頁 |
| 文件大小： | 906K |
| 代理商： | HB52F89EM |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁當(dāng)前第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁
HB52F88EM-75F, HB52F89EM-75F, HB52F168EN-75F, HB52F169EN-
29
AC Characteristics (Ta = 0 to 65
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
Notes:
1.AC measurement assumes t
T
= 1 ns. Reference level for timing of input signals is 1.5 V.
2.Access time is measured at 1.5 V. Load condition is C
L
= 50 pF.
3.t
LZ
(max) defines the time at which the outputs achieves the low impedance state.
4.t
HZ
(max) defines the time at which the outputs achieves the high impedance state.
5.t
CES
defines CKE setup time to CK rising edge except power down exit command.
HB52F88EM/89EM/
168EN/169EN-75F
PC133
CE latency = 3
PC100
CE latency = 2
Parameter
System clock cycle time
CK high pulse width
CK low pulse width
Access time from CK
Data-out hold time
CK to Data-out low impedance
CK to Data-out high impedance
Data-in setup time
Data in hold time
Address setup time
Address hold time
CKE setup time
CKE setup time for power down exit t
CESP
CKE hold time
Command setup time
Command hold time
Ref/Active to Ref/Active command
period
Active to precharge command
period
Active command to column
command (same bank)
Precharge to active command
period
Write recovery or data-in to
precharge lead time
Active (a) to Active (b) command
period
Transition time (rise to fall)
Refresh period
HITA-
CHI-
Symbol
t
CK
t
CKH
t
CKL
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
CES
PC100
Sym-
bol
Tclk
Tch
Tcl
Tac
Toh
Min
7.5
2.5
2.5
—
2.7
2
—
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
1.5
0.8
1.5
0.8
67.5
Max
—
—
—
5.4
—
—
5.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Min
10
3
3
—
3
2
—
2
1
2
1
2
2
1
2
1
70
Max
—
—
—
6
—
—
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Note
s
1
1
1
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 4
1
1
1
1
1, 5
1
1
1
1
1
Tsi
Thi
Tsi
Thi
Tsi
Tpde
Thi
Tsi
Thi
Trc
t
CEH
t
CS
t
CH
t
RC
t
RAS
Tras
45
120000
50
120000
ns
1
t
RCD
Trcd
20
—
20
—
ns
1
t
RP
Trp
20
—
20
—
ns
1
t
DPL
Tdpl
10
—
10
—
ns
1
t
RRD
Trrd
15
—
20
—
ns
1
t
T
t
REF
1
—
5
64
1
—
5
64
ns
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52R1289E22 | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22-A6B | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22-B6B | 1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HB52R1289E22-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E22-B6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:1 GB Registered SDRAM DIMM 1 GB Registered SDRAM DIMM (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R1289E2-A6A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52R1289E2-B6A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
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