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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816136 |
| 廠(chǎng)商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線(xiàn)式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的流水線(xiàn)和流量，通過(guò)同步唑的SRAM（1,600位流水線(xiàn)式和流通型同步唑靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 584K |
| 代理商： | GS816136 |
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Rev: 2.07 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816118/36T-225/200/180/166/150/133
GS816118/36 Block Diagram
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
Counter
Load
D
Q
D
Q
Register
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
R
A0
–
An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
FT
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx0
–
DQx9
DP
Parity
Compare
QE
Parity
Encode
36
4
36
36
4
32
Note: Only x36 version shown for simplicity.
1
36
36
D
Q
R
4
B
B
B
C
B
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816118 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線(xiàn)式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| GS8161E18BD-200I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGD-200I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGD-250 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGD-250I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS816136BD-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS816136BD-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS816136BD-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS816136BD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 165FBGA - Trays |
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