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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816136 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 16Mb的流水線和流量，通過(guò)同步唑的SRAM（1,600位流水線式和流通型同步唑靜態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/32頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 584K |
| 代理商： | GS816136 |
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Rev: 2.07 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
30/32
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816118/36T-225/200/180/166/150/133
TQFP Package Drawing
D
D
E1
E
P
b
e
c
L
L1
A2
A1
Y
θ
Notes:
1.
2.
All dimensions are in millimeters (mm).
Package width and length do not include mold protrusion.
Symbol
Description
Min.
Nom.
Max
A1
Standoff
0.05
0.10
0.15
A2
Body Thickness
1.35
1.40
1.45
b
Lead Width
0.20
0.30
0.40
c
Lead Thickness
0.09
0.20
D
Terminal Dimension
21.9
22.0
22.1
D1
Package Body
19.9
20.0
20.1
E
Terminal Dimension
15.9
16.0
16.1
E1
Package Body
13.9
14.0
14.1
e
Lead Pitch
0.65
L
Foot Length
0.45
0.60
0.75
L1
Lead Length
1.00
Y
Coplanarity
0.10
θ
Lead Angle
0
°
7
°
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816118 | 16Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM(16M位流水線式和流通型同步NBT靜態(tài)RAM) |
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| GS8161E18BGD-200I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGD-250 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BGD-250I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS816136BD-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS816136BD-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS816136BD-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS816136BD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 165FBGA - Trays |
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