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參數(shù)資料
| 型號： | EDX5116ABSE-2A-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
| 中文描述： | 32M X 16 RAMBUS, PBGA104 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-104 |
| 文件頁數(shù)： | 41/78頁 |
| 文件大小： | 3611K |
| 代理商： | EDX5116ABSE-2A-E |
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Preliminary Data Sheet E0643E30 (Ver. 3.0)
41
EDX5116ABSE
Figure 34
Refresh Transac tions
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
T
8
T
0
T
1
T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
T
7
T
9
T
10
T
11
T
12
T
13
T
14
T
15
T
16
T
17
T
18
T
19
T
20
T
21
T
22
T
23
T
8
Transaction a: REF
Transaction b: REF
Transaction c: REF
a0 = {Ba,REFR}
a0 = {Ba,REFR}
c0 = {Bc,REFR}
a1 = {Ba}
b1 = {Bb}
c1 = {Bc}
t
CYCLE
T
24
T
25
T
26
T
27
T
28
T
29
T
30
T
31
This REFI increments REFR
T
33
T
34
T
35
T
36
T
37
T
38
T
39
T
40
T
41
T
42
T
43
T
44
T
45
T
46
T
47
T
32
Refresh Transaction
Interleaved Refresh Example
b0
REFA
t
RR
a1
REFP
a0
REFA
Bb = Ba
t
RC
c0
REFA
d0
REFA
e0
REFA
t
CYCLE
a1
REFP
b1
REFP
c1
REFP
d1
REFP
f0
REFA
g0
REFA
h0
REFI
e1
REFP
f1
REFP
g1
REFP
h1
REFP
g0
REFA
h0
REFA
a0
REFA
b0
REFA
c0
REFA
d0
REFA
e0
REFA
f0
REFA
a0
REFA
b0
REFA
t
REF
t
RP
t
RAS
c0
REFA
Bc/Rc = Ba/Ra
Transaction a: REF
Transaction b: REF
Transaction c: REF
Transaction d: REF
Transaction e: REF
Transaction f: REF
Transaction g: REF
Transaction h: REF
Transaction i: REF
a0 = {Ba,REFR}
b0 = {Bb,REFR}
c0 = {Bc,REFR}
d0 = {Bd,REFR}
e0 = {Be,REFR}
f0 = {Bc,REFR}
g0 = {Bd,REFR}
h0 = {Be,REFR}
i0 = {Ba,REFR+1}
a1 = {Ba}
b1 = {Bb}
c1 = {Bc}
d1 = {Bd}
e1 = {Be}
f1 = {Bf}
g1 = {Bg}
h1 = {Bh}
i1 = {Bi}
Ba,Bb,Bc,Bd,
Be,Bf,Bg and
different banks.
Bh are
i0
REFA
Bi = Ba
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
(ACT)
RQ11..0
(PRE)
RQ11..0
(ALL)
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
(ACT)
RQ11..0
(PRE)
RQ11..0
(ALL)
DQ15..0
DQN15..0
CFM
CFMN
RQ11..0
REFP
REFP
REFP
REFP
REFP
REFP
REFP
REFP
REFA
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