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參數(shù)資料
| 型號： | EDX5116ABSE-2A-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
| 中文描述： | 32M X 16 RAMBUS, PBGA104 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-104 |
| 文件頁數(shù)： | 2/78頁 |
| 文件大?。?/td> | 3611K |
| 代理商： | EDX5116ABSE-2A-E |
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Preliminary Data Sheet E0643E30 (Ver. 3.0)
2
EDX5116ABSE
Elpida Memory
Density
25: 256M (x 16bit)
Organization
16: x16bit
Power Supply, Interface
A: 1.8V, DRSL
Die Rev.
Package
SE: FBGA
(
μ
BGA with back cover)
Product Family
X: XDR DRAM
Type
D: Monolithic Device
E D X 51 16 A B SE - 4C - E
Environment Code
E: Lead Free
Speed
4C: 4.0G (tRAC = 28, C Bin)
3C: 3.2G (tRAC = 35, C Bin)
3B: 3.2G (tRAC = 35, B Bin)
3A: 3.2G (tRAC = 27, A Bin)
2A: 2.4G (tRAC = 36, A Bin)
Ordering Information
Part Number
Part number
Organization
Bandwidth (1/tBIT)
Latency (tRAC)
Bin
Package
EDX5116ABSE-4C-E
EDX5116ABSE-3C-E
EDX5116ABSE-3B-E
EDX5116ABSE-3A-E
EDX5116ABSE-2A-E
4M
×
16
×
8 banks 4.0G
3.2G
3.2G
3.2G
2.4G
28
35
35
27
36
C
C
B
A
A
104-ball FBGA
(
μ
BGA)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDX5116ABSE-3A-E | 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
| EDX5116ABSE | 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
| EDX5116ABSE-3C-E | 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
| EDX5116ABSE-4C-E | 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
| EDX5116ADSE | 512M bits XDR⑩ DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDX5116ABSE-3A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
| EDX5116ABSE-3B-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
| EDX5116ABSE-3C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
| EDX5116ABSE-4C-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits) |
| EDX5116ACSE | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits XDR? DRAM |
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