參數(shù)資料
型號(hào)： EDX5116ABSE-2A-E
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits)
中文描述： 32M X 16 RAMBUS, PBGA104
封裝： LEAD FREE, FBGA-104
文件頁(yè)數(shù)： 18/78頁(yè)
文件大?。?/td> 3611K
代理商： EDX5116ABSE-2A-E
Preliminary Data Sheet E0643E30 (Ver. 3.0)
18
EDX5116ABSE
Figure 6
ACT-, RD-, WR-, PRE-to-WR Packet Interac tions
T
0
T
1
T
2
T
3
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
T
4
T
5
T
6
T
7
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3
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
T
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T
19
T
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21
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22
T
23
T
8
a: ROWA Packet with ACT,Ba,Ra
b: COL Packet with WR,Bb,Cb
T
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T
1
T
2
T
3
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
T
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5
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0
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1
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3
CFMN
RQ11..0
DQ15..0
DQN15..0
T
4
T
5
T
6
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9
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19
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20
T
21
T
22
T
23
T
8
AWd Case (activate-write different bank)
AWs Case (activate-write same bank)
a: ROWA Packet with ACT,Ba,Ra
b: COL Packet with WR,Bb,Cb
RWd Case (read-write-different bank)
a: COL Packet with RD,Ba,Ca
b: COL Packet with WR,Bb,Cb
RWs Case (read-write-same bank)
a: COL Packet with RD,Ba,Ca
b: COL Packet with WR,Bb,Cb
WWd Case (write-write different bank)
a: COL Packet with WR,Ba,Ca
b: COL Packet with WR,Bb,Cb
WWs Case (write-write same bank)
a: COP Packet with WR,Ba,Ca
b: COL Packet with WR,Bb,Cb
PWd Case (precharge-write different bank)
a: ROWP Packet with PRR,Ba
b: COL Packet with WR,Bb,Cb
PWs Case (precharge-write same bank)
a: ROWP Packet with PRE,Ba
b: COP Packet with WR,Bb,Cb
Ba Bb
/
Ba = Bb
Ba Bb
/
Ba = Bb
Ba Bb
/
Ba = Bb
Ba Bb
/
Ba = Bb
No limit
a
PRE
b
WR
No limit
a
ACT
b
WR
t
RP
+t
RCD-W
t
RP
a
PRE
b
WR
B
ACT
t
RCD-W
a
ACT
b
WR
t
RW
t
CC
b
WR
a
WR
t
CC
b
WR
a
WR
t
CAC
D(b)
Q(a)
t
CWD
t
CYCLE
a
RD
b
WR
t
RW
t
CAC
D(b)
Q(a)
t
CWD
t
CYCLE
a
RD
b
WR
CFM
CFM
CFM
CFM
t
CC
t
CC
t
RCD-W
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PDF描述
EDX5116ABSE-3A-E 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits)
EDX5116ABSE 512M bits XDR DRAM (32M words ?16 bits)
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EDX5116ADSE 512M bits XDR⑩ DRAM
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