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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDE5104AJSE |
| 廠商： | Elpida Memory, Inc. |
| 英文描述： | EDE5104AJSE |
| 中文描述： | EDE5104AJSE |
| 文件頁數(shù)： | 63/77頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | EDE5104AJSE |
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EDE5104AJSE, EDE5108AJSE, EDE5116AJSE
Data Sheet E1043E40 (Ver. 4.0)
63
Burst Write with Auto Precharge [WRITA]
If A10 is high when a write command is issued, the Write with auto precharge function is engaged. The DDR2
SDRAM automatically begins precharge operation after the completion of the burst writes plus write recovery time
(tWR). The bank undergoing auto precharge from the completion of the write burst may be reactivated if the
following two conditions are satisfied.
(1) The data-in to bank activate delay time (tWR + tRP) has been satisfied.
(2) The /RAS cycle time (tRC) from the previous bank activation has been satisfied.
in1
in3
/CK
CK
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Tm
Command
DQS, /DQS
DQ
≥
tWR
Auto precharge begins
Completion of the burst write
in0
in2
Posted
WRIT
ACT
NOP
≥
tRP
WL = RL –1 = 2
A10 = 1
tRC (min.)
Burst Write with Auto Precharge (tRC Limit) (WL = 2, tWR =2)
NOP
CK
/CK
T0
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
Command
DQS, /DQS
DQ
Auto precharge begins
Completion of the burst write
in0
in2
NOP
in1
in3
Posted
WRIT
ACT
WL = RL –1 = 4
A10 = 1
≥
tRC
tWR (min.)
tRP (min.)
Burst Write with Auto Precharge (tWR + tRP) (WL = 4, tWR =2, tRP=3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDE5108AJBG | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJBG-6E-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5108AJBG-8E-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJBG | 512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5116AJBG-6E-E | 512M bits DDR2 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDE5104AJSE-6E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5104AJSE-8E-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR2 SDRAM |
| EDE5104GASA | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5104GASA-4A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR-II SDRAM |
| EDE5104GASA-5A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits DDR-II SDRAM |
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