參數(shù)資料
型號： EDE5104AJSE
廠商： Elpida Memory, Inc.
英文描述： EDE5104AJSE
中文描述： EDE5104AJSE
文件頁數(shù)： 6/77頁
文件大?。?/td> 604K
代理商： EDE5104AJSE
EDE5104AJSE, EDE5108AJSE, EDE5116AJSE
Data Sheet E1043E40 (Ver. 4.0)
6
Recommended DC Operating Conditions (SSTL_18)
Parameter
Symbol
min.
typ.
max.
Unit
Notes
Supply voltage
VDD
1.7
1.8
1.9
V
4
Supply voltage for output
VDDQ
1.7
1.8
1.9
V
4
Input reference voltage
VREF
0.49
×
VDDQ
0.50
×
VDDQ 0.51
×
VDDQ
V
1, 2
Termination voltage
VTT
VREF
0.04
VREF
VREF + 0.04
V
3
DC input logic high
VIH (DC)
VREF + 0.125
VDDQ + 0.3
V
DC input low
AC input logic high
-8E, -6E
AC input low
-8E, -6E
Notes: 1. The value of VREF may be selected by the user to provide optimum noise margin in the system. Typically
the value of VREF is expected to be about 0.5
×
VDDQ of the transmitting device and VREF are expected
to track variations in VDDQ.
2. Peak to peak AC noise on VREF may not exceed
±
2% VREF (DC).
3. VTT of transmitting device must track VREF of receiving device.
4. VDDQ tracks with VDD, VDDL tracks with VDD. AC parameters are measured with VDD, VDDQ and
VDDL tied together.
VIL (DC)
0.3
VREF – 0.125
V
VIH (AC)
VREF + 0.200
V
VIL (AC)
VREF
0.200
V
相關PDF資料
PDF描述
EDE5108AJBG 512M bits DDR2 SDRAM
EDE5108AJBG-6E-E 512M bits DDR2 SDRAM
EDE5108AJBG-8E-E 512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AJBG 512M bits DDR2 SDRAM
EDE5116AJBG-6E-E 512M bits DDR2 SDRAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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