參數(shù)資料
型號(hào)： W29GL064CT9A
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 64M X 1 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA48
封裝： GREEN, VFBGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 32/64頁(yè)
文件大?。?/td> 563K
代理商： W29GL064CT9A
W29GL064C
32
8.5
AC Characteristics
Symbol
VCC=2.7V~3.6V
Description
Min
Max
Units
EVIO=VCC
90
ns
Valid Data Output after Address
EVIO=1.65V to VCC
tAA
100
ns
EVIO=VCC
25
ns
Page Access Time
EVIO=1.65V to VCC
tPA
30
ns
EVIO=VCC
90
ns
Valid data output after #CE low
EVIO=1.65V to VCC
tCE
100
ns
EVIO=VCC
25
ns
Valid data output after #OE low
EVIO=1.65V to VCC
tOE
35
ns
EVIO=VCC
90
ns
Read Period Time
EVIO=1.65V to VCC
tRC
100
ns
Data Output High Impedance after #OE high
tDF
20
ns
Data Output High Impedance after #CE high
tDF
20
ns
Output Hold Time from the earliest rising edge of address, #CE,
#OE
tOH
0
ns
Write Period Time
tWC
90
ns
Address Setup Time
tAS
0
ns
Address Setup Time to #OE low during Toggle Bit Polling
tASO
15
ns
Address Hold Time
tAH
45
ns
Address Hold Time from #CE or #OE High during Toggle Bit
Polling
tAHT
0
ns
Data Setup Time
tDS
30
ns
Data Hold Time
tDH
0
ns
VCC Setup Time
tVCS
500
ns
Chip enable Setup Time
tCS
0
ns
Chip enable Hold Time
tCH
0
ns
Output enable Setup Time
tOES
0
ns
Read
0
ns
Output enable Hold Time
Toggle & Data#
Polling
tOEH
10
ns
#WE Setup Time
tWS
0
ns
#WE Hold Time
tWH
0
ns
#CE Pulse Width
tCEPW
35
ns
#CE Pulse With High
tCEPWH
30
ns
#WE Pulse Width
tWP
35
ns
#WE Pulse Width High
tWPH
30
ns
EVIO=VCC
90
ns
Program/Erase active time by RY/#BY
EVIO=1.65V to VCC
tBUSY
110
ns
Read Recover Time before Write (#OE High to #WE Low)
tGHWL
0
ns
Read Recover Time before Write (#OE High to #WE Low)
tGHEL
0
ns
16-Word Write Buffer Program Operation
tWHWH1
96
s
Effective Write Buffer Program
Operation
Byte
tWHWH1
3
14
s
Effective Write Buffer Program
Operation
Word
tWHWH1
6
28
s
Accelerated Effective Write Buffer
Operation
Per Word
tWHWH1
4.8
s
Program Operation
Byte
tWHWH1
6
28
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W948D6FBHX6G 8M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PBGA60
WF128K32-120HC5 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 120 ns, CHIP66
WF128K32-90HM5 512K X 8 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CHIP66
WS128K32-35CJM 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 35 ns, CQCC68
WS512K32F-100G2Q 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100 ns, QMA68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W29GL128C 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:128M-BIT 3.0-VOLT PARALLEL FLASH MEMORY WITH PAGE MODE
W29GL128CH9B 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 64LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
W29GL128CH9B TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 64LFBGA
W29GL128CH9T 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
W29GL128CH9T TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 56TSOP
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