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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W25Q32BVZEAG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 8 X 6 MM, GREEN, WSON-8 |
| 文件頁數(shù)： | 67/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 1090K |
| 代理商： | W25Q32BVZEAG |
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W25Q32BV
Publication Release Date: April 01, 2011
- 7 -
Revision F
3.3 Pin Configuration PDIP 300-mil
1
2
3
4
8
7
6
5
/CS
DO (IO
1)
/WP (IO
2)
GND
VCC
/HOLD (IO
3)
DI (IO
0)
CLK
Top View
Figure 1c. W25Q32BV Pin Assignments, 8-pin PDIP 300-mil (Package Code DA)
3.4 Pin Description SOIC 208-mil, WSON 6x5/8x6-mm and PDIP 300-mil
PIN NO.
PIN NAME
I/O
FUNCTION
1
/CS
I
Chip Select Input
2
DO (IO1)
I/O
Data Output (Data Input Output 1)*
1
3
/WP (IO2)
I/O
Write Protect Input ( Data Input Output 2)*
2
4
GND
Ground
5
DI (IO0)
I/O
Data Input (Data Input Output 0)*
1
6
CLK
I
Serial Clock Input
7
/HOLD (IO3)
I/O
Hold Input (Data Input Output 3)*
2
8
VCC
Power Supply
*1 IO0 and IO1 are used for Standard and Dual SPI instructions
*2 IO0 – IO3 are used for Quad SPI instructions
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG6466S335AD4M | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| W3EG7264S335AD4SG | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| WF1M32B-120G2UI3A | 1M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 120 ns, CQFP68 |
| WF1M32B-120H1I3A | 1M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 120 ns, CPGA66 |
| WE128K32N-150G2TC | 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 125 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q32BVZEAP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZEIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:32MB SPI FLASH |
| W25Q32BVZEIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZPAG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZPAP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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