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參數(shù)資料
| 型號： | W25Q32BVZEAG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 8 X 6 MM, GREEN, WSON-8 |
| 文件頁數(shù)： | 17/79頁 |
| 文件大?。?/td> | 1090K |
| 代理商： | W25Q32BVZEAG |
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W25Q32BV
- 24 -
(IO
1)
7.2.7 Write Disable (04h)
The Write Disable instruction (Figure 6) resets the Write Enable Latch (WEL) bit in the Status Register to
a 0. The Write Disable instruction is entered by driving /CS low, shifting the instruction code “04h” into the
DI pin and then driving /CS high. Note that the WEL bit is automatically reset after Power-up and upon
completion of the Write Status Register, Erase/Program Security Registers, Page Program, Quad Page
Program, Sector Erase, Block Erase and Chip Erase instructions.
Write Disable instruction can also be used to invalidate the Write Enable for Volatile Status Register
instruction.
/CS
CLK
DI
(IO
0)
DO
Mode 0
Mode 3
0
1
2
3
4
5
6
7
Mode 0
Mode 3
Instruction (04h)
High Impedance
Figure 6. Write Disable Instruction Sequence Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG6466S335AD4M | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| W3EG7264S335AD4SG | 64M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| WF1M32B-120G2UI3A | 1M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 120 ns, CQFP68 |
| WF1M32B-120H1I3A | 1M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 120 ns, CPGA66 |
| WE128K32N-150G2TC | 128K X 32 EEPROM 5V MODULE, 125 ns, CQFP68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q32BVZEAP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZEIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:32MB SPI FLASH |
| W25Q32BVZEIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZPAG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q32BVZPAP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:3V 32M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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