- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄245706 > W19B160BTBBM (WINBOND ELECTRONICS CORP) 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W19B160BTBBM |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 47/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 534K |
| 代理商： | W19B160BTBBM |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁當(dāng)前第47頁第48頁
W19B160BT/B DATA SHEET
- 8 -
5.
PIN DESCRIPTION
SYMBOL
PIN NAME
A0
A19
Address Inputs
DQ0
DQ14
Data Inputs/Outputs
Word mode
DQ15 is Data Inputs/Outputs
DQ15/A-1
Byte mode
A-1 is Address input
#CE
Chip Enable
#OE
Output Enable
#WE
Write Enable
#BYTE
Byte Enable Input
#RESET
Hardware Reset
RY/#BY
Ready/Busy Status
VDD
Power Supply
VSS
Ground
NC
No Connection
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W7MG21M32SVB70BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80 |
| W3EG7264S202AD4 | DDR DRAM MODULE, DMA200 |
| W3E232M16S-200STIG | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3E232M16S-400STI | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3EG6418S263D3 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W19B160BTBH7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTT7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation |
| W19B160TB7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160TB7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。