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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W19B160BTBBM |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 29/48頁 |
| 文件大小： | 534K |
| 代理商： | W19B160BTBBM |
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W19B160BT/B DATA SHEET
Publication Release Date:Jan.04, 2008
- 35 -
Revision A5
9.4.5
Hardware Reset (#RESET)
PARAMETER
SYM.
MIN.
MAX.
UNIT
#RESET PIN Low (During Embedded Algorithms) to
Read or Write
TREADY
-
20
us
#RESET Pin Low (Not During Embedded
Algorithms) to Read or Write
TREADY
-
500
ns
#RESET Pulse Width
TRp
500
-
ns
#RESET High Time Before Read
TRH
50
-
ns
#RESET Low to Standby Mode
TRPD
20
-
us
RY/#BY Recovery Time
TRB
0
-
ns
Note:
Not 100 % tested
9.4.6
Word/Byte Configuration (#BYTE)
Test Condition
70nS
90nS
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, CL (including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0 - 3.0
V
Input timing measurement reference levels
1.5
V
Output timing measurement reference levels
1.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W7MG21M32SVB70BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80 |
| W3EG7264S202AD4 | DDR DRAM MODULE, DMA200 |
| W3E232M16S-200STIG | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3E232M16S-400STI | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3EG6418S263D3 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W19B160BTBH7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTT7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation |
| W19B160TB7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160TB7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
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