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參數(shù)資料
| 型號： | W19B160BTBBM |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 21/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 534K |
| 代理商： | W19B160BTBBM |
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W19B160BT/B DATA SHEET
- 28 -
8.12 Program Algorithm
START
Write Program
Command Sequence
Data Poll
from System
Verify Data?
Increment
Address
Yes
Last Address?
Yes
Programming
Completed
Embedded
Program
algorithm
in progress
No
8.13 Erase Algorithm
STA R T
W rite E rase
Com m an d Sequ ence
Data P oll from S ystem
Data= FFh ?
E rase Co m plete d
No
Yes
Em bed ded
Erase
algorith m
in prog ress
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W7MG21M32SVB70BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80 |
| W3EG7264S202AD4 | DDR DRAM MODULE, DMA200 |
| W3E232M16S-200STIG | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3E232M16S-400STI | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3EG6418S263D3 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W19B160BTBH7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTT7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation |
| W19B160TB7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160TB7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
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