參數(shù)資料
型號(hào)： W19B160BTBBM
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： PROM
英文描述： 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48
封裝： 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48
文件頁(yè)數(shù)： 40/48頁(yè)
文件大小： 534K
代理商： W19B160BTBBM
W19B160BT/B DATA SHEET
Publication Release Date:Jan.04, 2008
- 45 -
Revision A5
13. ORDERING INFORMATION
Notes
:
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DEVICE NUMBER/DESCRIPTION
W19B160B
16 Megabit (2M x 8-Bit/ 1 M x 16-Bit) CMOS Flash Memory
Simultaneous Read/Write operations, 3.0 Volt-only Read, Program, and Erase
BOOT CODE SECTOR ARCHITECTURE
T = Top sector
B = Bottom sector
PACKAGE TYPE
T = 48-Pin TSOP Package, 12 x 20mm
B = 48-Ball TFBGA, 0.80 mm pitch, 6 x 8 mm package
SPEEDOPTION
7 : 70 ~ 79ns
A : 100 ~ 109ns
8 : 80 ~ 89ns
B : 110 ~ 119ns
9 : 90 ~ 99ns
Quality:Grade & Green
H: Extended ( -20℃~85 ℃)with Green package
M:Industrial ( -40℃~85 ℃)with Green package
W19B160B T T 7 H
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W7MG21M32SVB70BNC 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80
W3EG7264S202AD4 DDR DRAM MODULE, DMA200
W3E232M16S-200STIG 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
W3E232M16S-400STI 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
W3EG6418S263D3 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W19B160BTBH7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160BTBM7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160BTT7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation
W19B160TB7H7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
W19B160TB7M7H 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory
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