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參數(shù)資料
| 型號： | W19B160BTBBM |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件頁數(shù)： | 28/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 534K |
| 代理商： | W19B160BTBBM |
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W19B160BT/B DATA SHEET
- 34 -
9.4.3
Read-Only Operations
70nS
90nS
PARAMETER
SYM.
TEST Setup
Min. Max. Min. Max.
Unit
Read Cycle Time
TRC
70
-
90
-
ns
Address to Output Delay
TACC
#CE = VIL,
#OE = VIL
-
70
-
90
ns
Chip Enable to Output Delay
TCE
#OE = VIL
-
70
-
90
ns
Output Enable Access Time
TOE
-
30
-
35
ns
Chip Enable to Output High Z
TDF
-
25
-
30
ns
Output Enable to Output High Z
TDF
-
25
-
30
ns
Output Hold Time From Address. #OE or
#CE Whichever Occurs First
TOH
0
-
0
-
ns
Read
0
-
0
-
ns
Output Enable Hold
Time
Toggle and #Data
polling
TOEH
10
-
10
-
ns
Note :
Not 100 % tested
9.4.4
Read-Only Operations
Test Condition
70nS
90nS
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, CL (including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0 - 3.0
V
Input timing measurement reference levels
1.5
V
Output timing measurement reference levels
1.5
V
Note :
Not 100 % tested
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W7MG21M32SVB70BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80 |
| W3EG7264S202AD4 | DDR DRAM MODULE, DMA200 |
| W3E232M16S-200STIG | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3E232M16S-400STI | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3EG6418S263D3 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W19B160BTBH7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTT7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation |
| W19B160TB7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160TB7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
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