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參數資料
| 型號： | W19B160BTBBM |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 2.7V PROM, 11 ns, PBGA48 |
| 封裝： | 6 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-48 |
| 文件頁數： | 39/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 534K |
| 代理商： | W19B160BTBBM |
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W19B160BT/B DATA SHEET
- 44 -
11. LATCHUP CHARACTERISTICS
PARAMETER
MIN
MAX
Input voltage with respect to Vss on all pins except I/O pins (including
A9, #OE, and #RESET)
-1.0 V
11.5 V
Input voltage with respect to Vss on all I/O pins
-1.0 V
VDD +1.0 V
VDD Current
-100 mA
+100 mA
Note :
Includes all pins except VDD. Test conditions: VDD = 3.0 V, one pin at a time.
12. CAPACITANCE
PARAMETER
SYM.
TEST
SETUP
TYP
MAX
UNIT
Input Capacitance
VIN
VIN = 0
6
7.5
pF
Output Capacitance
VOUT
VOUT = 0
8.5
12
pF
Control Pin Capacitance
VIN2
VIN = 0
7.5
9
pF
Notes :
1.
Sampled, not 100 % tested.
2.
Test condition TA = 25℃, f = 1.0 MHz.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W7MG21M32SVB70BNC | 2M X 32 FLASH 3.3V PROM MODULE, 70 ns, SMA80 |
| W3EG7264S202AD4 | DDR DRAM MODULE, DMA200 |
| W3E232M16S-200STIG | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3E232M16S-400STI | 64M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| W3EG6418S263D3 | 16M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W19B160BTBH7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTBM7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160BTT7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2.7~3.6-volt write (program and erase) operations, Fast write operation |
| W19B160TB7H7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
| W19B160TB7M7H | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:16Mbit, 2.7~3.6 volt CMOS flash memory |
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