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參數(shù)資料
| 型號： | V54C316162VAT10 |
| 廠商： | MOSEL-VITELIC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 29/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 916K |
| 代理商： | V54C316162VAT10 |
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35
V54C316162VA Rev. 1.0 January 1998
MOSEL VITELIC
V54C316162VA
\)
16.1
Random
Column
Read
(P
a
g
e
within
same
Bank)
(1
of
3)
Burst
Length
=
4,
CAS
Latency
=
1
CLK
CKE
CS
I/O
RAS
CAS
WE
A11(BS)
DQM
T2
T3
T4
T0
T1
T6
T7
T8
T9
T5
T11
T12
T13
T14
T10
T16
T17
T18
T19
T15
T22
T20
T21
Hi-Z
A10
A0
-
A9
t CK1
High
CAx
RAx
Write
Command
Bank
A
t RCD
Activate
Command
Bank
A
CBx
RBx
Write
Command
Bank
B
Activate
Command
Bank
B
RAy
Precharge
Command
Bank
A
Activate
Command
Bank
A
t RP
Precharge
Command
Bank
B
Write
Command
Bank
A
CAy
DAx0
DAx3
DAx2
DAx1
DAx4
DAx7
DAx6
DAx5
DBx0
DBx3
DBx2
DBx1
DBx4
DBx7
DBx6
DBx5
DAy0
DAy3
DAy2
DAy1
t DPL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3256164VAT6 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| V54C3256404VDS8IPC | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| V54C3256404VDUG7 | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| V54C3256404VDLJ6 | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| V54C3256404VDUI6 | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C316162VC | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-5 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-55 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-6 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-7 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
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