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參數(shù)資料
| 型號： | V54C316162VAT10 |
| 廠商： | MOSEL-VITELIC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 11/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 916K |
| 代理商： | V54C316162VAT10 |
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19
V54C316162VA Rev. 1.0 January 1998
MOSEL VITELIC
V54C316162VA
5. Burst Write Operation
(Burst Length = 4, CAS latency = 1, 2, or 3)
6.1 Write Interrupted by a Write
(Burst Length = 4, CAS latency = 1, 2, or 3)
COMMAND
NOP
WRITE A
NOP
I/O’s
DIN A0
DIN A1
DIN A2
DIN A3
NOP
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Extra data is ignored after
The first data element and the Write
are registered on the same clock edge.
termination of a Burst.
don’t care
COMMAND
NOP
WRITE A
WRITE B
NOP
I/O’s
DIN A0
DIN B0
DIN B1
DIN B2
NOP
DIN B3
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
1 Clk Interval
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3256164VAT6 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| V54C3256404VDS8IPC | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| V54C3256404VDUG7 | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| V54C3256404VDLJ6 | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| V54C3256404VDUI6 | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C316162VC | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-5 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-55 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-6 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-7 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
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