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參數(shù)資料
| 型號： | V54C316162VAT10 |
| 廠商： | MOSEL-VITELIC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 8 ns, PDSO50 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 文件頁數(shù)： | 23/61頁 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | V54C316162VAT10 |
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MOSEL VITELIC
V54C316162VA
3
V54C316162VA Rev. 1.0 January 1998
Absolute Maximum Ratings*
Ambient Temperature
Under Bias ................................... –10
°C to +80 °C
Storage Temperature (plastic) ......... -55 to +125
°C
Input/Output Voltage... -0.5 to Min (VCC+0.5, 4.6) V
Voltage Relative to VSS .................. -1.0V to +4.6 V
Data Output Current ..................................... 50 mA
Power dissipation .......................................... 1.0 W
*Note: Operation above Absolute Maximum Ratings can
adversely affect device reliability.
Capacitance*
TA = 0 to 70°C, VCC = 3.3 V ± 0.3 V, f = 1 Mhz
*Note: Capacitance is sampled and not 100% tested.
Symbol
Parameter
Max. Unit
CI1
Input Capacitance (A0 to A11)
4
pF
CI2
Input Capacitance
RAS, CAS, WE, CS, CLK, CKE, DQM
4
pF
CIO
Output Capacitance (I/O)
5
pF
Block Diagram
I/O1
Data Latches
8
16
Column Decoder and DQ Gate
Sense Ampliers
Data
Input/Output
Buff
ers
16
CKE Buffer
CLK Buffer
CS Buffer
RAS Buffer
CAS Buffer
WE Buffer
DQM Buffer
CKE
CLK
CS
RAS
CAS
DQM
WE
Command
Decoder
Mode Register
Refresh Clock
Row
Address
Counter
Self
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A10
A8
A9
A0
A11 (BS)
12
Sequential
Control
Bank A
Row/Column
Select
Bank A
Predecode A
Column Decoder and I/O Gate
Sense Ampliers
Sequential
Control
Bank B
Predecode B
16
Address
Buff
ers
(12)
Row/Column
Select
Bank B
3
11
3
11
Data Latches
16
Column Decoder and I/O Gate
Sense Ampliers
256
Memory Bank B
2048 x 1024
Memory Bank B
2048 x 256
2048
Ro
w
Decoder
Ro
w
Decoder
16
1024
256
Memory Bank A
2048 x 256
2048
Ro
w
Decoder
Ro
w
Decoder
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V54C3256164VAT6 | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| V54C3256404VDS8IPC | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| V54C3256404VDUG7 | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| V54C3256404VDLJ6 | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| V54C3256404VDUI6 | 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| V54C316162VC | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-5 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-55 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-6 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
| V54C316162VC-7 | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16 |
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