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參數(shù)資料
| 型號： | TMS418169P-70 |
| 廠商： | Texas Instruments, Inc. |
| 英文描述： | 1048576-WORD BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT HIGH-SPEED DRAMS |
| 中文描述： | 1048576字由16位擴充數(shù)據(jù)輸出高速DRAM等 |
| 文件頁數(shù)： | 42/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 1464K |
| 代理商： | TMS418169P-70 |
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TMS55160, TMS55161, TMS55170, TMS55171
262144 BY 16-BIT MULTIPORT VIDEO RAMS
SMVS464
–
MARCH1996
42
POST OFFICE BOX 1443
HOUSTON, TEXAS 77251
–
1443
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
RAS
CASx
A0
–
A8
WE
DSF
TRG
DQ0
–
DQ15
tc(W)
tw(RL)
tw(RH)
td(RLCH)
tt
td(CLRH)
tw(CL)
td(RLCL)
td(CHRL)
td(CHRL)
th(RA)
tt
th(RLCA)
tsu(CA)
tsu(RA)
th(CLCA)
td(CARH)
tw(CH)
1
2
3
th(SFR)
tsu(SFR)
tsu(SFC)
th(SFC)
tsu(TRG)
tsu(WMR)
tsu(WCH)
tsu(WRH)
th(RLW)
th(CLW)
tsu(WCL)
th(RWM)
tsu(DQR)
tsu(DCL)
th(RLD)
tw(WL)
th(CLD)
Row
Column
td(RLCA)
th(RSF)
th(TRG)
td(CACH)
th(RDQ)
In early-write operations, DQ0
–
DQ15 are all latched on the first falling edge of CASx. Thus, tsu(DCL) and th(CLD) are referenced only to the first
falling edge of CASx.
Figure 33. Early-Write-Cycle Timing
Table 7. Early-Write-Cycle State Table
CYCLE
STATE
2
1
3
Write operation (nonmasked)
H
Don
’
t care
Valid data
Write operation with nonpersistent write-per-bit
L
Write mask
Valid data
Write operation with persistent write-per-bit
L
Don
’
t care
Valid data
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TMS418169P-80 | 1048576-WORD BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS4500A-15NL | DRAM Controller |
| TMS4500A-20FN | DRAM Controller |
| TMS4500A-20N | DRAM Controller |
| TMS4500A-20NL | DRAM Controller |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TMS418169P-80 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:1048576-WORD BY 16-BIT EXTENDED DATA OUT HIGH-SPEED DRAMS |
| TMS4256 | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS4256-10FM | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS4256-10FME | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
| TMS4256-10FML | 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:262,144-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |
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