參數(shù)資料
型號: SGW5N60RUFDTM
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
中文描述: 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝: D2PAK-3
文件頁數(shù): 8/10頁
文件大?。?/td> 646K
代理商: SGW5N60RUFDTM
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SGW5N60RUFD Rev. A1
S
G
W5N60RUF
D
Package Dimension
10.00
±0.20
10.00
±0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±0.10
0.80
±0.10
0.80
±0.10
(2XR0.45)
9.90
±0.20
4.50
±0.20
0.10
±0.15
2.40
±0.20
2.54
±0.30
15.30
±0.30
9.20
±0.20
4.90
±0.20
1.40
±0.20
2.00
±0.10
(0.75)
(1.75)
(7.20)
~3
°
1.20
±0.20
9.20
±0.20
15.30
±0.30
4.90
±0.20
(0.40)
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
D2-PAK
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SGW6N60UFTM 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube