參數(shù)資料
型號(hào)： SGW5N60RUFDTM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
中文描述： 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大?。?/td> 646K
代理商： SGW5N60RUFDTM
SGW5N60RUFD Rev. A1
S
G
W5N60RUF
D
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristic
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
1
10
100
1000
1
10
Safe Operating Area
V
GE = 20V, TC = 100
℃
40
C
o
llect
o
r
C
u
rre
n
t,
I
C
[A
]
Collector-Emitter Voltage, V
CE [V]
3
45678
9
10
100
1000
Eon
Eoff
Common Emitter
V
GE =
± 15V, R
G = 40
T
C
= 25℃ ━━
T
C
= 125℃ ------
S
wit
ching
L
o
s
[
u
J
]
Collector Current, I
C
[A]
0
3
6
9
12
15
18
0
3
6
9
12
15
200V
300V
V
CC
= 100V
Common Emitter
R
L = 60
T
C
= 25℃
G
a
te
-
E
m
it
ter
V
o
lt
ag
e
,V
GE
[V
]
Gate Charge, Q
g [nC]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
h
erm
a
lResp
o
n
se,
Zth
jc
[
℃
/W
]
Rectangular Pulse Duration [sec]
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
Peak Tj = Pdm
× Zthjc + T
C
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
Single Nonrepetitive
Pulse T
C = 25
℃
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
50
Ic MAX. (Continuous)
Ic MAX. (Pulsed)
DC Operation
1
100us
50us
Col
lec
to
rCu
rr
en
t,
I
C
[A
]
Collector-Emitter Voltage, V
CE [V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SH2 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH3 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH8K2TB 6 A, 30 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
SHC-21-001 0.75 mm2, BRASS, WIRE TERMINAL
SHC-21T-002 0.75 mm2, BRASS, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
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參數(shù)描述
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SGW6N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW6N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
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