參數(shù)資料
型號(hào)： SGW5N60RUFDTM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 646K
代理商： SGW5N60RUFDTM
Product Folder - Fairchild P/N SGW5N60RUFD - Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode
Product status/pricing/packaging
Product
Product status
Pricing*
Package type
Leads
Packing method
SGW5N60RUFDTM
Full Production
$1.45 TO-263(D2PAK)
2
TAPE REEL
* 1,000 piece Budgetary Pricing
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file:///C|/PDF/SGW5N60RUFD.html (2 of 2) [27-Jul-02 6:02:00 PM]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SH2 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH3 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH8K2TB 6 A, 30 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
SHC-21-001 0.75 mm2, BRASS, WIRE TERMINAL
SHC-21T-002 0.75 mm2, BRASS, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
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參數(shù)描述
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SGW6N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW6N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW6N60UFDTM 功能描述:IGBT 晶體管 600V/3A/W/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGW6N60UFTM 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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