參數(shù)資料
型號(hào)： SGW5N60RUFDTM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 646K
代理商： SGW5N60RUFDTM
SGW5N60RUFD Rev. A1
S
G
W5N60RUF
D
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
0.1
1
10
100
01
23
T
C =
25℃ ━━
T
C = 100
℃ ------
Forward Voltage Drop, V
F [V]
Fo
rwa
rd
C
u
rr
e
n
t,
I
F
[A
]
100
1000
1
10
100
V
R = 200V
I
F = 8A
T
C =
25℃ ━━
T
C = 100
℃ ------
Re
v
e
rs
e
Rec
o
v
e
ry
Cur
re
n
t,
I
rr
[A
]
di/dt [A/us]
100
1000
0
20
40
60
80
100
V
R = 200V
I
F = 8A
T
C =
25℃ ━━
T
C = 100
℃ ------
Re
v
e
rc
e
Re
co
v
e
ry
Ti
me,
t
rr
[ns]
di/dt [A/us]
100
1000
0
100
200
300
400
500
V
R = 200V
I
F = 8A
T
C
=
25℃ ━━
T
C
= 100℃ ------
St
ored
Recovery
Ch
ar
g
e
,Q
rr
[n
C
]
di/dt [A/us]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SH2 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH3 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH8K2TB 6 A, 30 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
SHC-21-001 0.75 mm2, BRASS, WIRE TERMINAL
SHC-21T-002 0.75 mm2, BRASS, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
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參數(shù)描述
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SGW6N60UF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
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SGW6N60UFTM 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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