參數(shù)資料
型號(hào)： SGW5N60RUFDTM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大小： 646K
代理商： SGW5N60RUFDTM
SGW5N60RUFD Rev. A1
S
G
W5N60RUF
D
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. VGE
Fig 6. Saturation Voltage vs. VGE
02
468
0
5
10
15
20
25
20V
12V
15V
V
GE = 10V
Common Emitter
T
C = 25
℃
Col
lec
tor
Cu
rr
e
n
t,
I
C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
110
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
V
GE = 15V
T
C =
25℃ ━━
T
C = 125
℃ ------
Co
lle
ct
or
C
u
rr
ent,
I
C
[A
]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
-50
0
50
100
150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10A
5A
I
C = 3A
Common Emitter
V
GE = 15V
C
o
lle
c
to
r-
E
m
itte
r
V
o
lt
a
ge,
V
CE
[V
]
Case Temperature, T
C [
℃]
0
2
4
6
8
10
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C = 100
℃
Power Dissipation = 12W
V
CC = 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
L
o
a
d
C
u
rr
ent
[A
]
0
4
8
121620
0
4
8
12
16
20
10A
5A
I
C = 3A
Common Emitter
T
C = 25
℃
Col
lect
o
r-
Em
it
te
r
Vol
tag
e,
V
CE
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C = 125
℃
10A
5A
I
C = 3A
Co
llec
to
r
-Em
it
te
rVo
lt
ag
e,
V
CE
[V
]
Gate - Emitter Voltage, V
GE [V]
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PDF描述
SH2 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH3 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH8K2TB 6 A, 30 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
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