參數(shù)資料
型號： SGW5N60RUFDTM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
中文描述： 8 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 646K
代理商： SGW5N60RUFDTM
SGW5N60RUFD Rev. A1
S
G
W5N60RUF
D
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
110
0
100
200
300
400
500
600
700
Cres
Coes
Cies
Common Emitter
V
GE = 0V, f = 1MHz
T
C = 25
℃
C
a
pac
it
a
n
c
e
[
p
F]
Collector - Emitter Voltage, V
CE [V]
10
100
10
100
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= ± 15V
I
C = 5A
T
C =
25℃ ━━
T
C
= 125℃ ------
Ton
Tr
S
w
itc
h
in
g
T
im
e
[n
s
]
Gate Resistance, R
G [ ]
10
100
Toff
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 5A
T
C =
25℃ ━━
T
C = 125
℃ ------
S
w
it
c
h
ing
Ti
m
e
[ns]
Gate Resistance, R
G [ ]
10
100
10
100
1000
Eoff
Eon
Eoff
Common Emitter
V
CC = 300V, VGE =
± 15V
I
C = 5A
T
C =
25℃ ━━
T
C = 125
℃ ------
Sw
it
ch
in
g
Lo
ss
[u
J]
Gate Resistance, R
G [ ]
345
6
789
10
100
Ton
Tr
Common Emitter
V
GE =
± 15V, R
G = 40
T
C =
25℃ ━━
T
C = 125
℃ ------
S
w
itc
h
in
g
T
im
e
[n
s
]
Collector Current, I
C [A]
3456
7
8
9
10
100
1000
Tf
Toff
Tf
Common Emitter
V
GE =
± 15V, R
G = 40
T
C =
25℃ ━━
T
C = 125
℃ ------
S
w
it
c
h
in
g
T
im
e
[n
s
]
Collector Current, I
C [A]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SH2 20 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH3 20 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SH8K2TB 6 A, 30 V, 0.047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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SHC-21T-002 0.75 mm2, BRASS, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
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參數(shù)描述
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