參數(shù)資料
型號(hào)： S29PL032J65BFI150
廠商： SPANSION LLC
元件分類： PROM
英文描述： 2M X 16 FLASH 3V PROM, 65 ns, PBGA56
封裝： 7 X 9 MM, LEAD FREE, FBGA-56
文件頁數(shù)： 83/94頁
文件大小： 949K
代理商： S29PL032J65BFI150
82
S29PL-J
S29PL-J_00_A8 July 29, 2005
Ad van c e
Inf o rmation
Notes:
1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA = program address, SA = sector address, PD = program data.
3. DQ7# is the complement of the data written to the device. DOUT is the data written to the device
4. S29PL129J - During CE1# transitions, CE2# = VIH; During CE2# transitions, CE1# = VIH
5. S29PL129J - There are two CE# (CE1#, CE2#). In the above waveform CE# = CE1# or CE2#
Figure 28 Alternate CE# Controlled Write (Erase/Program) Operation Timings
Note: This parameter is defined for CE1#/CE2# recover time for read/read, program/read, and read/program operations. Program/program
operation are not allowed and only a single program operation is allowed at one time.
Figure 29 Timing Diagram for Alternating Between CE1# and CE2# Control
Table 32 CE1#/CE2# Timing (S29PL129J only)
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std
tCCR
CE1#/CE2# Recover Time (See Note)Min
0
ns
tGHEL
tWS
OE#
CE#
WE#
RESET#
tDS
Data
tAH
Addresses
tDH
tCP
DQ7#
DOUT
tWC
tAS
tCPH
PA
Data# Polling
A0 for program
55 for erase
tRH
tWHWH1 or 2
RY/BY#
tWH
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PA for program
SA for sector erase
555 for chip erase
tBUSY
CE1#
tCCR
CE2#
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29PL127J70BFI000 8M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA80
S29XS064R0PBHW010 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 80 ns, PBGA44
S2C3R-1-12-H 4000 MHz - 12000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 2 dB INSERTION LOSS
S2C5R-1-12-RC 4000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 2.8 dB INSERTION LOSS
S2H3R-1H 10 MHz - 1000 MHz RF/MICROWAVE SGL POLE DOUBLE THROW SWITCH, 1.2 dB INSERTION LOSS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
S29PL032J70BAI120 功能描述:閃存 32Mb 3V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29PL032J70BAI122 功能描述:閃存 32MB 閃存 3V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29PL032J70BAW120 功能描述:閃存 32MB 閃存 3V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29PL032J70BFI120 功能描述:閃存 32Mb 3V 70ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
S29PL032J70BFI120(E) 制造商:Spansion 功能描述:Cut Tape
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