參數(shù)資料
型號(hào)： PHM25NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 30.7 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： PHM25NQ10T
Philips Semiconductors
PHM25NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 September 2003
8 of 13
9397 750 11843
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 25 A; V
DD
= 20 V, 50 V, 80 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03aj40
0
10
20
30
0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25
°
C
150
°
C
VGS = 0 V
03aj42
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 25 A
Tj
= 25
°
C
VDD = 20 V
50 V
80 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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PHN1013 N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN1015 N-channel TrenchMOS transistor Logic level
PHN1018 KPT00E14-5PF42
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參數(shù)描述
PHM25NQ10T,518 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHM2825DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2825DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
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PHM3030DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM3030DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
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