參數(shù)資料
型號： PHM25NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 30.7 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8
文件頁數(shù)： 1/13頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： PHM25NQ10T
PHM25NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Rev. 03 — 11 September 2003
Product data
M3D879
1.
Product profile
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS technology.
1.2 Features
1.3 Applications
1.4 Quick reference data
2.
Pinning information
[1]
Shaded area indicates terminal 1 index area.
I
SOT96 (SO-8) footprint compatible
I
Surface mounted package
I
Low thermal resistance
I
Low profile.
I
DC-to-DC primary side
I
Portable equipment applications.
I
V
DS
≤
100 V
I
P
tot
≤
62.5 W
I
I
D
≤
30.7 A
I
R
DSon
≤
30 m
.
Table 1:
Pin
1,2,3
4
5,6,7,8
mb
Pinning - SOT685-1 (QLPAK), simplified outline and symbol
Description
Simplified outline
source (s)
gate (g)
drain (d)
mounting base,
connected to drain (d)
Symbol
[1]
SOT685-1 (QLPAK)
1
4
8
5
MBL585
Bottom view
mb
s
d
g
MBB076
相關PDF資料
PDF描述
PHN1011 TrenchMOS transistor Logic level FET
PHN1013 N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN1015 N-channel TrenchMOS transistor Logic level
PHN1018 KPT00E14-5PF42
PHN103 N-channel enhancement mode MOS transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PHM25NQ10T,518 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHM2825DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2825DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
PHM2930DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2930DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
PHM3 制造商:Panduit Corp 功能描述:TY-WRAP MACHINE HOSE
PHM3030DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM3030DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
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