參數(shù)資料
型號： PHM25NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS standard level FET
中文描述： 30.7 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 284K
代理商： PHM25NQ10T
Philips Semiconductors
PHM25NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 September 2003
3 of 13
9397 750 11843
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse; V
GS
= 10 V
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa15
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Pder
(%)
03aa23
0
40
80
120
0
50
100
150
200
Tmb (
°
C)
Ider
(%)
P
der
P
P
tot 25 C
°
)
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
I
D 25 C
°
)
-------------------
100
%
×
=
03aj36
10-1
1
10
102
1
10
102
103
VDS (V)
ID
(A)
DC
100
μ
s
10 ms
Limit RDSon = VDS
/ ID
1 ms
tp = 10
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHN1011 TrenchMOS transistor Logic level FET
PHN1013 N-channel enhancement mode MOS transistor
PHN1015 N-channel TrenchMOS transistor Logic level
PHN1018 KPT00E14-5PF42
PHN103 N-channel enhancement mode MOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHM25NQ10T,518 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHM2825DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2825DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
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PHM3030DL,115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM3030DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel
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