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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHM25NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 30.7 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 6 X 5 MM, 0.85 MM HEIGHT, PLASTIC, QLPAK, HVSON-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/13頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 284K |
| 代理商： | PHM25NQ10T |
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Philips Semiconductors
PHM25NQ10T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 September 2003
7 of 13
9397 750 11843
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa32
0
1
2
3
4
5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
min
typ
03aa35
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
2
4
6
VGS (V)
max
typ
min
03aj41
10
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN1011 | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHN1013 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN1015 | N-channel TrenchMOS transistor Logic level |
| PHN1018 | KPT00E14-5PF42 |
| PHN103 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHM25NQ10T,518 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHM2825DL,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2825DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
| PHM2930DL,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM2930DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
| PHM3 | 制造商:Panduit Corp 功能描述:TY-WRAP MACHINE HOSE |
| PHM3030DL,115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:PHM3030DL/MLFPAK/REEL7// - Tape and Reel |
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