參數(shù)資料
型號(hào)： NCP4330DR2G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： MOSFETs
英文描述： Post Regulation Driver
中文描述： BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
封裝： LEAD FREE, DSO-8
文件頁數(shù)： 5/18頁
文件大小： 123K
代理商： NCP4330DR2G
NCP4330
http://onsemi.com
5
25
18
25
I
D
8
Figure 3. I
DD1
Consumption
vs. Temperature
Figure 4. I
DD2
Consumption
vs. Temperature
Figure 5. I
DD3
Consumption
vs. Temperature
Figure 6. Undervoltage Lockout Upper
Threshold vs. Temperature
Figure 7. Undervoltage Lockout Lower
Threshold vs. Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
10
14
16
125
Figure 8. Undervoltage Lockout Hysteresis
vs. Temperature
12
25
9.0
25
I
D
5.0
TEMPERATURE (
°
C)
5.8
7.4
8.2
125
6.6
25
14
25
I
D
8
TEMPERATURE (
°
C)
10
12
13
125
11
25
6.0
25
U
5.5
TEMPERATURE (
°
C)
5.6
5.8
5.9
125
5.7
9
25
700
25
H
460
TEMPERATURE (
°
C)
500
580
620
125
540
25
25
U
5.14
TEMPERATURE (
°
C)
5.16
5.20
5.22
125
5.18
660
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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