參數(shù)資料
型號(hào)： NCP4330DR2G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： MOSFETs
英文描述： Post Regulation Driver
中文描述： BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
封裝： LEAD FREE, DSO-8
文件頁數(shù)： 13/18頁
文件大小： 123K
代理商： NCP4330DR2G
NCP4330
http://onsemi.com
13
HighSide Driver Stage
The highside turn on (turn off) is 100 ns delayed behind
the lowside turn off (turn on).
The highside drive is designed to drive on and off
12.5 nC gate charge power MOSFET, in 25 ns typical.
1. HighSide Turn On:
As portrayed by in figure 30, the highside turn on is a
“hard” switching (large dV/dt and dI/dt).
The necessary current capability is then:
12.5 nC
25 ns
, that is 500 mA.
Ihs
on
Figure 30. HighSide MOSFET Turn On
Time in Secs
Vin
lind
i(l1)
vin1
ihs
vdshs
hs_drv
I
Q
V
Q
40.0
20.0
0
20.0
40.0
l
0
4.00
8.00
12.0
16.0
i
320
240
160
80.0
0
i
0
20.0
40.0
60.0
80.0
v
8.00
4.00
0
4.00
8.00
v
HS_DRV
4.4990 M
4.4995 M
4.5000 M
4.5005 M
4.5010 M
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PDF描述
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