參數(shù)資料
型號(hào)： NAND256W4A2AZA6E
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA55
封裝： 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55
文件頁(yè)數(shù)： 42/58頁(yè)
文件大?。?/td> 1406K
代理商： NAND256W4A2AZA6E
NAND128-A, NAND256-A
DC and AC parameters
47/58
Figure 31.
Reset AC waveform
10.1
Ready/busy signal electrical characteristics
Figures Figure 32, Figure 33, and Figure 34 show the electrical characteristics for the
Ready/Busy signal. The value required for the resistor RP can be calculated using the
following equation:
Therefore,
where IL is the sum of the input currents of all the devices tied to the Ready/Busy signal. RP
max is determined by the maximum value of tr.
Figure 32.
Ready/Busy AC waveform
W
R
I/O
RB
tBLBH4
AL
CL
FFh
ai08043
(Reset Busy time)
R
P
min
VDDmax VOLmax
–
()
IOL
IL
+
-------------------------------------------------------------
=
R
P
min 3V
()
3.2V
8mA
IL
+
---------------------------
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
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PDF描述
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