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參數(shù)資料
| 型號： | NAND128W3A2BV6E |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 40/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 951K |
| 代理商： | NAND128W3A2BV6E |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Ready/Busy Signal Electrical Characteristics
teristics for the Ready/Busy signal. The value re-
quired for the resistor RP can be calculated using
the following equation:
So,
where IL is the sum of the input currents of all the
devices tied to the Ready/Busy signal. RP max is
determined by the maximum value of tr.
Figure 33. Ready/Busy AC Waveform
Figure 34. Ready/Busy Load Circuit
Figure 35. Resistor Value Versus Waveform Timings For Ready/Busy Signal
Note: T = 25°C.
R
P
min
VDDmax VOLmax
–
()
IOL
IL
+
------------------------------------------------------------
=
R
P
min 1.8V
()
1.85V
3mA
IL
+
---------------------------
=
R
P
min 3V
()
3.2V
8mA
IL
+
---------------------------
=
AI07564B
busy
VOH
ready VDD
VOL
tf
tr
AI07563B
RP
VDD
VSS
RB
DEVICE
Open Drain Output
ibusy
ai07565B
RP (K)
12
3
4
100
300
200
t r
,t
f
(ns)
1
2
3
1.7
0.85
30
1.7
tr
tf
ibusy
0
400
4
RP (K)
12
3
4
100
300
200
1
2
3
ibusy
(mA)
2.4
1.2
0.8
0.6
100
200
300
400
3.6
0
400
4
VDD = 1.8V, CL = 30pF
VDD = 3.3V, CL = 100pF
t r
,t
f
(ns)
ibusy
(mA)
60
90
120
0.57
0.43
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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