參數(shù)資料
型號： NAND128W3A2BV6E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
文件頁數(shù)： 16/56頁
文件大?。?/td> 951K
代理商： NAND128W3A2BV6E
23/56
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 14. Read Block Diagrams
Note: 1. Highest address depends on device density.
AI07596
A0-A7
A9-A26(1)
Area A
(1st half Page)
Read A Command, X8 Devices
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
Area A
(main area)
Area C
(Spare)
A0-A7
Read A Command, X16 Devices
A0-A7
Read B Command, X8 Devices
Area A
(1st half Page)
Area B
(2nd half Page)
Area C
(Spare)
A0-A3 (x8)
A0-A2 (x16)
Read C Command, X8/x16 Devices
Area A
Area A/ B
Area C
(Spare)
A9-A26(1)
A4-A7 (x8), A3-A7 (x16) are don't care
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PDF描述
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