- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄189003 > NAND128W3A2BV6E (STMICROELECTRONICS) 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NAND128W3A2BV6E |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 36/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 951K |
| 代理商： | NAND128W3A2BV6E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁當(dāng)前第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁
41/56
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 28. Page Read A/ Read B Operation AC Waveform
Note: Address cycle 4 is only required for 512Mb and 1Gb devices.
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
tWLWL
tWHBL
tALLRL2
00h or
01h
Data
N
Data
N+1
Data
N+2
Data
Last
tWHBH
tRLRL
tEHQZ
tRHQZ
ai08033c
Busy
Command
Code
Address N Input
Data Output
from Address N to Last Byte or Word in Page
Add.N
cycle 1
Add.N
cycle 4
Add.N
cycle 3
Add.N
cycle 2
(Read Cycle time)
tRLRH
tBLBH1
tRHQX
tEHQX
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2CV6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND128W4A2CZA6E | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND128R4A2BZA6E | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND256R4A0DN6T | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND256R4A2DZA1F | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND128W3A2BWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND128W3AABN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND128W3AABN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND128W4A0AN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 128MBIT 8MX16 12US 48TSOP - Trays |
| NAND16GAH0HZA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。