參數(shù)資料
型號(hào)： M36DR232
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 2 Mbit 128K x16 SRAM, Multiple Memory Product
中文描述： 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁閃存和2兆位128K的x16的SRAM，多個(gè)存儲(chǔ)產(chǎn)品
文件頁數(shù)： 40/46頁
文件大?。?/td> 329K
代理商： M36DR232
M36D232A, M36DR232B
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Table 33. SRAM Low V
CCS
Data Retention Characteristics
(1, 2)
(T
A
= –40 to 85°C; V
DDS
= 1.65V to 2.2V)
Symbol
Parameter
Note: 1. All other Inputs V
IH
≤
V
DD
– 0.2V or V
IL
≤
0.2V.
2. Sampled only. Not 100% tested.
Figure 23. SRAM Low V
DDS
Data Retention AC Waveforms, E1S Controlled
Figure 24. SRAM Low V
DDS
Data Retention AC Waveforms, E2S Controlled
Test Condition
Min
Max
Unit
I
DDDR
Supply Current (Data Retention)
V
DDS
= 1.0V, E1S
≥
V
DDS
– 0.2V,
E2S
≥
V
DDS
– 0.2V or E2S
≤
0.2V, f = 0
25
μA
V
DR
Supply Voltage (Data Retention)
E1S
≥
V
DDS
– 0.2V, E2S
≤
0.2V, f = 0
1
2.3
V
t
CDR
Chip Disable to Power Down
E1S
≥
V
CCS
– 0.2V, E2S
≤
0.2V, f = 0
0
ns
t
R
Operation Recovery Time
t
RC
ns
AI90224
1.65 V
E1S
tCDR
E1S
≥
VDDS – 0.2V
1.2 V
VDR
VSSS
VDDS
tR
DATA RETENTION MODE
AI90225
1.65 V
E2S
tCDR
E2S
≤
0.2V
VDR
VSSS
VDDS
tR
DATA RETENTION MODE
0.4 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M36DR232AZA 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 2 Mbit 128K x16 SRAM, Multiple Memory Product
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M36DR232BZA 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 2 Mbit 128K x16 SRAM, Multiple Memory Product
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參數(shù)描述
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M36DR232A120ZA6T 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 120ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M36DR232AZA 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 2 Mbit 128K x16 SRAM, Multiple Memory Product
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